| 器件数据表 |
| 器件介绍: | |
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器件名称 |
快速恢复高压整流硅堆 |
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型号规格 |
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简易参数 |
200mA 40KV 100NS |
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替换型号 |
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环保标识 |
RoHS / SGS |
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生产品牌 |
HVGT半导体 |
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大约净重 |
7.2 克(约) |
| 额定值与温度特性：（绝对最大值） | ||||
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项 目 |
符 号 |
条 件 |
数 据 |
单 位 |
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最大反向重复峰值电压 |
VRRM |
TA=25°C |
40 |
kV |
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最大反向不重复峰值电压 |
VRSM |
TA=25°C |
48 |
kV |
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最大正向平均通态电流 |
IFAVM |
TA=40°C |
200 |
mA |
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最大正向平均通态电流 |
IFAVM |
TOIL=55°C |
200 |
mA |
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最大正向不重复浪涌电流 |
IFSM |
TA=25°C; 60Hz Half-Sine Wave; 8.3mS |
6.0 |
A |
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器件最高结温 |
TJM |
|
125 |
°C |
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工作温度范围 |
TOP |
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-40~+125 |
°C |
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储存温度范围 |
TSTG |
|
-55~+150 |
°C |
| 电气特性：Ta=25°C （除非另有规定) | ||||
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项 目 |
符 号 |
条 件 |
数 据 |
单 位 |
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最大正向峰值电压 |
VFM |
at IFAVM |
48 |
V |
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最大反向直流电流 |
IR1 |
at TA=25°C; at VRRM |
2.0 |
uA |
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最大反向直流电流 |
IR2 |
at TA=100°C; at VRRM |
50 |
uA |
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最大反向恢复时间 |
TRR |
100 |
nS |
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P/N反向结电容量 |
CJ |
at VR=0VDC; f=1MHz |
-- |
pF |
| 外形尺寸： | ||||
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HVGT 半导体命名: |
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