| 器件数据表 |
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器件介绍: |
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器件名称 |
高周波工频高压整流硅堆 |
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器件型号 |
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简单参数 |
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代替型号 |
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环保标识 |
RoHS / SGS |
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生产品牌 |
HVGT 半导体 |
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净重量 |
35 克(约) |
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最大额定值与特性：（绝对最大值） |
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项 目 |
符 号 |
条 件 |
数 据 |
单 位 |
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反向重复峰值电压 |
VRRM |
TA=25°C |
16 |
kV |
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反向不重复峰值电压 |
VRSM |
TA=25°C |
-- |
kV |
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正向平均电流 |
IFAVM |
TA=55°C |
750 |
mA |
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正向平均电流 |
IFAVM |
TOIL=55°C |
-- |
mA |
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正向不重复浪涌电流 |
IFSM |
TA=25°C; 60Hz Half-Sine Wave; 8.3mS |
50 |
A |
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器件结温 |
TJ |
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125 |
°C |
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工作温度 |
TC |
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-40~+125 |
°C |
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储存温度 |
TSTG |
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-40~+125 |
°C |
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电气特性： Ta=25°C （除非另有规定） |
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项 目 |
符 号 |
条 件 |
数 据 |
单 位 |
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正向峰值电压 |
VFM |
at 25°C; at IFAVM |
14.4 |
V |
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反向直流电流 |
IR1 |
at 25°C; at VRRM |
2.0 |
uA |
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反向直流电流 |
IR2 |
at 100°C; at VRRM |
50 |
uA |
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反向恢复时间 |
TRR |
at 25°C; IF=0.5IR; IR=IFAVM; IRR=0.25IR |
-- |
nS |
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P/N结电容量 |
CJ |
at 25°C; VR=0V; f=1MHz |
-- |
pF |
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外形尺寸：（单位：mm） |
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HVGT 公司命名: |
HVP |
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