器件介绍:

 器件名称

 碳化硅快速恢复高压整流二极管 贴片高压二极管

 器件型号

 SC04US02 (C04)

 简单参数

 400mA   2.0kV   20nS

 代替型号

 C04

 环保标识

 RoHS  /  SGS

 生产品牌

 HVGT 半导体

 净重量

 0.02 克(约)

 最大额定值与特性：（绝对最大值）

项 目

符 号

条 件

数 据

单 位

 最大反向峰值电压

VRRM

TA=25°C

2000

V

 工作峰值反向电压

VRWM

TA=25°C

2000

V

 最大直流阻断电压

VDC

TA=25°C

2000

V

 RMS反向电压

VRMS

TA=25°C

1400

V

 正向平均电流

IFAVM

TC=75°C

400

mA

正向不重复浪涌电流

IFSM

TA=25°C; 60Hz; Half-Sine Wave; 8.3mS

20

A

 正向不重复浪涌电流

IFSM

TA=25°C; 60Hz; Square Wave; 1.0mS

24

A

 器件结温

TJ

175

°C

 工作温度

TC

-55~+175

°C

 储存温度

TSTG

-65~+200

°C

 电流平均时间

I2t

1.0mS ≤ t ≤ 8.3mS

10.375

A2s

 热阻抗（引线）

Rth(J-L)

 安装在P.C.B.上，带有8mm*8mm的铜焊盘区域。

20

°C/W

 热阻抗（环境）

Rth(J-A)

安装在P.C.B.上，带有8mm*8mm的铜焊盘区域。

75

°C/W

 电气特性： Ta=25°C （除非另有规定）

项  目

符 号

条 件

数 据

单 位

 正向峰值电压

VFM

at 25°C; at  IFAVM

1.7

V

 反向直流电流

IR1

at 25°C; at VRRM

0.5

uA

 反向直流电流

IR2

at 125°C; at VRRM

20

uA

 反向恢复时间

TRR

at 25°C; IF=200mA; IR=-400mA; IRR=-100mA

20

nS

 P/N结电容量

CJ

at 25°C; VR=0V; f=1MHz

2.9

pF

 外形尺寸：（单位：mm）

HVGT 公司命名:

 SOD-123FL