- 碳化硅高压二极管 / Silicon Carbide High Voltage Diode
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SC20U02B

器件数据表 器件介绍:
器件名称
碳化硅快速恢复高压整流二极管 贴片高压二极管
器件型号
SC20U02B (AJ202K)
简单参数
2.0A 2.0kV 20nS
代替型号
AJ202K
环保标识
RoHS / SGS
生产品牌
HVGT 半导体
净重量
0.095 克(约)
最大额定值与特性:(绝对最大值)
项 目
符 号
条 件
数 据
单 位
最大反向峰值电压
VRRM
TA=25°C
2000
V
工作峰值反向电压
VRWM
TA=25°C
2000
V
最大直流阻断电压
VDC
TA=25°C
2000
V
RMS反向电压
VRMS
TA=25°C
1400
V
正向平均电流
IFAVM
TL=125°C
2.0
A
正向不重复浪涌电流
IFSM
TA=25°C; 60Hz Half-Sine Wave; 8.3mS
80
A
正向不重复浪涌电流
IFSM
TA=25°C; 60Hz Square Wave; 1.0mS
100
A
器件结温
TJ
175
°C
工作温度
TC
-55~+175
°C
储存温度
TSTG
-65~+200
°C
电流平均时间
I2t
1.0mS ≤ t ≤ 8.3mS
10.375
A2s
热阻抗(引线)
Rth(J-L)
安装在P.C.B.上,带有8mm*8mm的铜焊盘区域。
175
°C/W
热阻抗(环境)
Rth(J-A)
安装在P.C.B.上,带有8mm*8mm的铜焊盘区域。
-55~+175
°C/W
电气特性: Ta=25°C (除非另有规定)
项 目
符 号
条 件
数 据
单 位
正向峰值电压
VFM
at 25°C; at IFAVM
2.4
V
反向直流电流
IR1
at 25°C; at VRRM
0.5
uA
反向直流电流
IR2
at 125°C; at VRRM
20
uA
反向恢复时间
TRR
at 25°C; IF=1.0A; IR=2.0A; IRR=0.5A
20
nS
P/N结电容量
CJ
at 25°C; VR=4.0V; f=1MHz
11
pF
外形尺寸:(单位:mm)
HVGT 公司命名:
SMB

