- 高频高压硅堆 / High Frequency HV Silicon Stack
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AJ02AL500G 2CLG50KV/0.2A
- 产品资料
- 名 称
- AJ02AL500G 2CLG50KV/0.2A
- 类 别
- 高频高压硅堆
- 反向峰值电压
- 50 VRRM(kV)
- 正向平均电流
- 200 IF(mA)
- 正向峰值电压
- 60 VFM(V)
- 恢复时间
- 100 Trr(nS)
- 正向浪涌电流
- 6.0 IFSM(A)
- 外形尺寸
- HVS-080960H
- 关键词
- 浏览量
- 8202
器件数据表 器件介绍: 器件名称
快速恢复高压整流硅堆
型号规格
AJ02AL500G
简易参数
200mA 50KV 100NS
替换型号
2CLG50KV/0.2A 2CLG50KV0.2A 2CLG50KV-0.2A
环保标识
RoHS / SGS
生产品牌
HVGT半导体
大约净重
7.2 克(约)
额定值与温度特性：（绝对最大值） 项 目
符 号
条 件
数 据
单 位
最大反向重复峰值电压
VRRM
TA=25°C
50
kV
最大反向不重复峰值电压
VRSM
TA=25°C
60
kV
最大正向平均通态电流
IFAVM
TA=40°C
200
mA
最大正向平均通态电流
IFAVM
TOIL=55°C
200
mA
最大正向不重复浪涌电流
IFSM
TA=25°C; 60Hz Half-Sine Wave; 8.3mS
6.0
A
器件最高结温
TJM
125
°C
工作温度范围
TOP
-40~+125
°C
储存温度范围
TSTG
-55~+150
°C
电气特性：Ta=25°C （除非另有规定) 项 目
符 号
条 件
数 据
单 位
最大正向峰值电压
VFM
at IFAVM
60
V
最大反向直流电流
IR1
at TA=25°C; at VRRM
2.0
uA
最大反向直流电流
IR2
at TA=100°C; at VRRM
50
uA
最大反向恢复时间
TRR
IF=100mA; IR= -200mA; IRR= -50mA
100
nS
P/N反向结电容量
CJ
at VR=0VDC; f=1MHz
--
pF
外形尺寸： HVGT 半导体命名:
HVS-080960H
