- 高频高压硅堆 / High Frequency HV Silicon Stack
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2CLG30KV/0.1A 高压硅堆 高压整流硅堆
- 产品资料
- 名 称
- 2CLG30KV/0.1A 高压硅堆 高压整流硅堆
- 类 别
- 高频高压硅堆
- 反向峰值电压
- 30 VRRM(kV)
- 正向平均电流
- 100 IF(mA)
- 正向峰值电压
- 36 VFM(V)
- 恢复时间
- 100 Trr(nS)
- 正向浪涌电流
- 3.0 IFSM(A)
- 外形尺寸
- HVS-080940H
- 关键词
- 浏览量
- 6601
器件数据表 器件介绍:
器件名称
轴向快速恢复高压整流硅堆
器件型号
2CLG30KV/0.1A
简单参数
100mA 30KV 100NS
代替型号
2CLG30KV/0.1A 2CLG30KV0.1A 2CLG30KV-0.1A
环保标识
RoHS / SGS
生产品牌
HVGT 半导体
净重量
5.5 克(约)
最大额定值与特性：（绝对最大值）
项 目
符 号
条 件
数 据
单 位
反向重复峰值电压
VRRM
TA=25°C
30
kV
反向不重复峰值电压
VRSM
TA=25°C
36
kV
正向平均电流
IFAVM
TA=25°C
100
mA
正向平均电流
IFAVM
TOIL=55°C
100
mA
正向不重复浪涌电流
IFSM
TA=25°C; 60Hz Half-Sine Wave; 8.3mS
3.0
A
器件结温
TJ
125
°C
工作温度
TC
-40~+125
°C
储存温度
TSTG
-55~+150
°C
电气特性： Ta=25°C （除非另有规定）
项 目
符 号
条 件
数 据
单 位
正向峰值电压
VF
at 25°C; at IF(AV)
36
V
反向直流电流
IR1
at 25°C; at VRRM
2.0
uA
反向直流电流
IR2
at 100°C; at VRRM
50
uA
反向恢复时间
TRR
at 25°C; IF=0.5IFAVM; IR=-IFAVM; IRR=-0.25IFAVM
100
nS
P/N结电容量
CJ
at 25°C; VR=0V; f=1MHz
--
pF
外形尺寸：（单位：mm）
HVGT 公司命名:
HVS-080940H
